Samsung : présentation de sa première puce gravée en 3 nm, une révolution

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Samsung vient de dévoiler sa toute première puce GAA gravé en 3 nm. Une véritable prouesse de la part du constructeur qui prend ainsi de l’avance sur son concurrent TSMC. Cette technologie concerne aussi bien le domaine de l’entreprise que le grand public, puisque les SoC 3 nm pourraient équiper les smartphones haut de gamme.

Samsung a dévoilé sa toute première puce gravée en 3 nm. Elle a été présentée lors d’une conférence de presse à Hwaseong, au sud de Séoul, en présence du ministre coréen du commerce et du PDG de la marque. Un événement en grandes pompes, puisqu’il s’agit là d’une avancée majeure pour le constructeur.

Samsung Foundry a donc présenté sa puce gravée en 3 nm utilisant la technologie GAA (Gate All Around). Cette dernière permet une plus grande puissance et une meilleure gestion de l’énergie par rapport au classique FinFET.

SAMSUNG POURRAIT RÉVOLUTIONNER L’INDUSTRIE AVEC CETTE PUCE

Cette nouvelle puce est une avancée majeure pour Samsung, qui a indiqué avoir fait collaborer plusieurs de ses branches pour arriver à ce résultat. Elle sera dédiée à l’usage professionnel, comme pour la conception des datacenters, mais devrait aussi servir pour le grand public. Il ne serait pas étonnant de voir une puce 3 nm arriver dans les smartphones haut de gamme à moyen terme. Il faut signaler que la gravure à 3 nm existe déjà depuis quelques années chez Samsung, mais c’est seulement aujourd’hui que la production de masse des puces peut être lancée.

Un pied de nez au rival de Samsung en la matière, le fondeur TSMC. Ce dernier prévoit le lancement de ses propres processeurs 3 nm au dernier trimestre de 2022. Un retard de quelques mois qui risque de se payer cher. En effet, de nombreux clients, comme Apple, Nvidia, AMD ou encore Qualcomm sont dans les starting blocks pour passer des commandes.

Pour l’utilisateur, une puce gravée à 3 nm risque de changer pas mal de choses. Sur un smartphone, par exemple, il bénéficierait en théorie d’une plus grande puissance mais aussi d’une autonomie plus longue, étant donné que la puce serait moins énergivore. A titre de comparaison, les Exynos 2200 qui équipent aujourd’hui la gamme Galaxy S22 sont gravés en 4 nm.

Source : Samsung

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