Alors que le taïwanais TSMC s’active au développement de son nouveau procédé de gravure en 5 nm, annoncé pour le second trimestre 2020, Huawei aurait déjà en tête de l’utiliser pour un certain Kirin 1020. Cette nouvelle puce animerait le futur Mate 40, attendu sur le marché dans un peu moins d’un an.
Les années se suivent et se ressemblent chez Huawei… tout du moins en termes d’organisation. L’IFA en septembre est souvent l’occasion pour le constructeur chinois de présenter un nouveau SoC haut de gamme, qui sera intégré presque aussitôt aux smartphones de sa gamme « Mate » (lancée chaque année à la rentrée ou durant l’automne) et quelques mois plus tard à sa gamme « P ».
Cette année, Huawei présentait ainsi sur le salon berlinois son Kirin 990, gravé en 7 nm par TSMC et intégrant 10,3 milliards de transistors au même titre qu’un modem 5G. Ce Kirin 990 propulsait presque aussi sec le Huawei Mate 30 et sera aux commandes du futur Huawei P40, attendu en début d’année 2020. Selon PhoneArena, le Mate 40, prévu pour l’automne 2020, serait pour sa part équipé d’un Kirin 1020 gravé cette fois en 5 nm… mais toujours par TSMC. Une information issue du réseau social chinois Weibo (via GizChina), qu’il convient de prendre avec un peu de recul.
Vers un Kirin 1020 50% plus véloce que l’actuel Kirin 990 ?
Le fondeur taïwanais, qui travaille depuis plusieurs mois à mettre au point son procédé de gravure en 5 nm (pour permettre une meilleure efficacité énergétique et des performances en hausse par rapport à sa gravure en 7 nm actuelle), serait prêt à la production en masse à compter du second trimestre 2020. Apple et Huawei compteraient parmi les premières marques à pouvoir en profiter pour leurs smartphones.
Chez Huawei, cela passerait par le lancement d’un Kirin 1020. Ce SoC serait conçu pour équiper dans un premier temps les futurs Mate 40 et pourrait embarquer jusqu’à 171,3 milliards de transistors par mm². Selon les rumeurs, le Kirin 1020 serait actuellement désigné par le nom de code « Baltimore » et offrirait 50 % de performances en plus que le Kirin 990. C’est 25% de plus que ce que le Snapdragon 865 promet par rapport au Snapdragon 855, note PhoneArena. Une amélioration probante due au passage sur des cœurs ARM Cortex-A78 (contre les Cortex-A76 dont le Kirin 990 se contente alors que les Cortex-A77 sont pourtant disponibles).
Notons que Qualcomm misera pour sa part sur la gravure en 7 nm EUV (méthode de gravure par lithographie extrême ultraviolet, également utilisée par TSMC) de Samsung pour son Snapdragon 865. Le géant américain ne passera sur la gravure en 5 nm de TSMC qu’à l’horizon 2021 avec son Snapdragon 875. Samsung comme TSMC travaillent enfin à la mise au point de leurs procédés de gravure en 3 nm respectifs. Il ne faudra toutefois pas les attendre avant 2022… un délai qui permettra au 5 nm de fleurir sur le marché et dans nos smartphones sur les deux prochaines années.
